產品簡介
此款設備配有Plasma實現等離子增強，滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置，可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力，帶刻度的調節閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
主要功能和特點
1、利用輝光放電產生等離子體電子激活氣相；
2、提高了氣相反應的沉積速率、成膜質量；
3、可通過調整射頻電源頻率來控制沉積速率；
4、能廣泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。
技術參數
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控溫精度 |
±1℃ |
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升溫速率 |
≤20℃/min |
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工作溫度 |
≤1100℃ |
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加熱區長度 |
440mm |
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恒溫區長度 |
200mm |
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石英管尺寸 |
L1400mm Φ（60、80、100） |
