測量晶閘管的簡單方法是用萬用表電阻擋（200Ω擋）測一下其陰極—陽極、門極—陰極電阻，測量時晶閘管不用取下來。正常情況下，陽極—陰極間電阻應為無窮大，門極—陰極電阻應在10—50Ω之間，過大或過小都表明這只晶閘管門極失效，它將不能被觸發導通。

熱等靜壓(hot isostatic pressing，簡稱HIP)是一種集高溫、高壓于一體的工藝生產技術，加熱溫度通常為1000 ~2000℃，通過以密閉容器中的高壓惰性氣體或氮氣為傳壓介質，工作壓力可達200MPa。

控制精度：±1℃ 爐溫均勻度：±1℃(根據加熱室大小而定) 。氣氛爐操作方便，可編程，PID自整定、自動升溫、自動保溫、 自動降溫，無需值守；可另配與計算機通訊通過計算機操作電爐（啟動電爐、停止電爐、暫停升溫、設定升溫曲線、升溫曲線儲存、歷史曲線等）

高溫實驗爐采用現代高科技技術，主要部件采用進口材料，專門設計用于高溫燒結工藝，如陶瓷基片導電率測試、陶瓷電容器等等。爐膛采用多晶純纖維制品隔熱、保溫，優質合金加熱絲加熱。

氣氛爐的種類很多，可按爐體內的氣氛分類，（F—放熱式，X—吸熱式，YL—有機液體裂解，D—氮基，A—氨制備，M—木炭，N—氨氣，Z后的Q表示氣氛）

隨著我國機械工業的發展,?特別是機電產品出口的增加,?傳統的粘土砂鑄造工藝已不能滿足國內外對鑄造質量的要求,?為此鑄造行業不斷地進行設備的創新和技術改造。

高溫爐有哪些特點？
高溫爐高溫爐，是一種高溫（700℃以上）的高溫熱處理設備，其升溫快、熱損失小，能長期穩定的提供高溫，因此被廣泛的應用于，合金鋼制品、各種金屬機件正火、淬火、退火、燒結、灰化等熱處理中。

引言：相比于目前成熟使用的硅基材采用碳化硅基材的電子元件性能優勢十分顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而這些優勢卻始終未能讓碳化硅元件轉換成較大的市場規模，其主要原因就出在碳化硅晶圓的制造和產能的不順暢。下文將帶大家簡單了解一下從半導體發展看碳化硅。

碳化硅SiC晶體生長Z常見，Z成熟的方法仍然是物理氣相輸運法（PVT），該方法是一種氣相生長方法，生長溫度高，對原材料以及工藝參數等都有很高的要求。近年來，國內外對PVT工藝的開發投入了大量的時間和精力，SiC晶體的質量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應力。組織缺陷的存在會惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應用，而應力的存在則會使得SiC晶體在加工階段容易碎裂

藍寶石是一種氧化鋁（A1203)的單晶，又稱為剛玉，就顏色而言， 單純的氧化鋁結晶是呈現透明無色的，在自然界屮當藍寶石在生長時， 晶體內含有鈦離子(Ti3+)與鐵離子(Fe3+)時，會使晶體呈現藍色，藍寶 石山此得名。藍寶石山三個氧原子和兩個鋁原子以共價鍵型式結合而成， 其晶體結構為六方晶格結構。