SiC器件相對于Si器件的優勢主要來自三個方面：
一、降低能量損耗
Sic材料開關損耗極低，全Sic功率模塊的開關 損耗大大低于同等丨GBT模塊的開關損耗，而且開關 頻率越高，與IGBT模塊之間的損耗差越大，這就意 味著對于IGBT模塊不擅長的高速開關工作，全5丨〔 功率模塊不僅可以大幅降低損耗還可以實現高速開關
二、低阻值使得更易實現小型化
Sic材料具備更低的通態電阻，阻值相同的情況 下可以縮小芯片的面積，SiC功率模塊的尺寸可達到 僅為Si的1/10左右。
三、更耐高溫
SiC的禁帶寬度3.23ev,相應的本征溫度可高達 800°C,承受的溫度相對Si更高；SiC材料擁有 3.7W/cm/K的熱導率，而硅材料的熱導率僅有 1.5W/cm/K,更高的熱導率可以帶來功率密度的顯 著提升，同時散熱系統的設計更簡單，或者直接采用自然冷卻。
碳化硅器件的應用
隨著碳化硅材料制造工藝的發展及制造成本的 不斷下降，碳化硅材料在高溫、高頻、光電子、抗 輻射等領域擁有廣闊的應用發展前景。
