碳化硅是甶碳和硅組成的化合物半導體材料， 在熱、化學、機械方面都非常穩定。c原子和Si原子 不同的結合方式使SiC擁有多種晶格結構，如4^1、 6H、3C等等。
碳化硅為第三代半導體的主要代表之一，總的來說擁有禁帶寬度大、器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場強度大、熱導率等顯著的特點。SiC功率器件可用于混動汽車和純電動汽車的逆變器、太陽能發電系列中的功率調節器，以及工業設備中使用的輸出功率為數千瓦~數十千瓦的電力轉化器等廣闊領域，近來受到業界的廣泛關注。此外，云數據、流媒體服務、物聯網等等急速發展，服務器需要更高的功率來處理越來越多的計算負載，也讓碳化硅、氮化鎵等寬禁帶第三代半導體材料有了大展拳腳的機會。
4H-SiC因為其較高的載流子遷移率，能夠提供 較高的電流密度，常被用來做功率器件。
