引言：相比于目前成熟使用的硅基材采用碳化硅基材的電子元件性能優勢十分顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而這些優勢卻始終未能讓碳化硅元件轉換成較大的市場規模，其主要原因就出在碳化硅晶圓的制造和產能的不順暢。下文將帶大家簡單了解一下從半導體發展看碳化硅。
半導體材料的發展歷程
半導體是一種常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間、導電性可控的材料
第一代：Si、Ge 應用于數據的運算和儲存
第二代：GaAs、InPⅢ-V族化合物 主要解決信息通訊，應用于半導體及鋼企，光纖通信，寬帶網等信息傳輸和儲存等領域
第三代：GaN、InN、AIN、SiCⅢ-V族化合物半導體 在電和固安的轉化方面性能突出，在微波信號傳輸方面效率更高，廣泛應用于照明、顯示、通訊等各個領域。
半導體材料性能對比
