首先我們從材料出發，也就是要知道熔什么，因為不同的材料使用的坩堝會不一樣，由于它的密度不一樣，所以同樣的功率下，它的容量也是不一樣的。

中頻電源的輸出電壓為70-550V，因此中頻電源的輸出端、補償電容連接端、感應圈接頭都是高電壓，不可暴露在外，以防止操作工人接觸后觸電危險.

按照熱平衡原理，入爐的熱量等于入爐所吸的熱量，即入爐各種熱損失之和。在這些熱源中，進入中頻熔化爐的熱源包括燃料的化學和物理熱，空氣和物料的物理熱；各種熱損失主要有排煙熱損失、不完全燃燒損失、爐壁散熱損失等.

對于一個鑄造廠來說，中頻熔煉爐是一個非常重要的設備，它的優劣直接影響到整個鑄造車間的產量。一臺好的中頻熔煉爐不僅皮實耐用，而且節能，能為企業節省不少人力和時間成本.

“箱式氣氛爐”別名“氣氛爐、高溫爐、管式爐、電阻爐、井式爐、氫氣爐、鐘罩爐、鉬絲爐、升降爐等等”是一種先進實驗設備,適用于金屬、納米、單晶硅、多晶硅、電池等的擴散焊接以及真空氣體保護下，氣氛熱處理的加熱設備鉬絲爐、箱式氣氛爐、井式氣氛爐、真空管式爐用于材料或化學實驗室，在真空或氣氛狀態下燒結各種新材料樣品。

?管式爐， 電爐分為工業電爐和家用電爐兩種，工業電爐又分為電阻爐、感應爐，管式爐等，隨著現代工業技術的發展感應爐成為電爐中Z為節能的電轉換加熱方式，廣泛應用家庭、醫藥、化工、冶金、等多個領域。

CVD是指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。

本系列箱式氣氛爐外形均為長方體。爐殼系用冷軋板經折邊焊接制成。工作室為真空成型的氧化鋁纖維爐膛，加熱元件置于爐膛內，在爐膛底部均裝有氧化鋁爐底板；爐膛與爐殼之間用1400型纖維板填充，雙層殼體結構，控溫系統與爐體一體化設計。

實驗爐主要指標:生產方式:大氣保護的連續生產，加溫方式:電加溫煅燒產品:粉末材料，使用溫度60℃、1700℃溫度控制精度:/ - 1℃或更少。

引言：相比于目前成熟使用的硅基材采用碳化硅基材的電子元件性能優勢十分顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而這些優勢卻始終未能讓碳化硅元件轉換成較大的市場規模，其主要原因就出在碳化硅晶圓的制造和產能的不順暢。下文將帶大家簡單了解一下從半導體發展看碳化硅。