首先，熔煉的目的是什么呢？就首飾的制作上來說，其主要目的精煉以獲得純潔度高的合金熔體，而金店打首飾和進行黃金回收的時候常常需要熔金。

整流器缺相：該故障表現為工作過程中有異常聲音，輸出電壓低于額定值，當電源柜發出異響時，輸出電壓可降至200V左右，可用示波器觀察整流器的輸出電壓波形(示波器應放置在電源內)，當輸入電壓波形正常時，每個周期有六個波形，缺相時將失去兩個。

熔煉爐是選用百度200~2500Hz中頻電源進行感應加熱，功率范圍為20~2500KW，依據其特色亦可稱為中頻電爐。

隨著碳化硅材料制造工藝的發展及制造成本的 不斷下降，碳化硅材料在高溫、高頻、光電子、抗 輻射等領域擁有廣闊的應用發展前景。

?碳化硅SiC晶體生長Z常見，Z成熟的方法仍然是物理氣相輸運法（PVT），該方法是一種氣相生長方法，生長溫度高，對原材料以及工藝參數等都有很高的要求。

真空燒結是指粉末、粉末壓坯或者其他形式的物料在真空環境下，在適當的溫度下受熱，借助于原子遷移實現顆粒間的聯結。燒結目的是使多孔的粉末壓坯具有一定的結構和性能的合金。

隨著我國機械工業的發展,?特別是機電產品出口的增加,?傳統的粘土砂鑄造工藝已不能滿足國內外對鑄造質量的要求,?為此鑄造行業不斷地進行設備的創新和技術改造。

測量晶閘管的簡單方法是用萬用表電阻擋（200Ω擋）測一下其陰極—陽極、門極—陰極電阻，測量時晶閘管不用取下來。正常情況下，陽極—陰極間電阻應為無窮大，門極—陰極電阻應在10—50Ω之間，過大或過小都表明這只晶閘管門極失效，它將不能被觸發導通。

熱等靜壓(hot isostatic pressing，簡稱HIP)是一種集高溫、高壓于一體的工藝生產技術，加熱溫度通常為1000 ~2000℃，通過以密閉容器中的高壓惰性氣體或氮氣為傳壓介質，工作壓力可達200MPa。

碳化硅SiC晶體生長Z常見，Z成熟的方法仍然是物理氣相輸運法（PVT），該方法是一種氣相生長方法，生長溫度高，對原材料以及工藝參數等都有很高的要求。近年來，國內外對PVT工藝的開發投入了大量的時間和精力，SiC晶體的質量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應力。組織缺陷的存在會惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應用，而應力的存在則會使得SiC晶體在加工階段容易碎裂