PECVD石墨烯生長爐

產品描述

 PECVD1200等離子氣相沉積爐是我公司在消化吸收國外同類產品的基礎上，與北京大學東莞光電研究院共同研制開發的。廣泛應用于薄膜生長等工藝。本設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子字體化學活性很強，很容易發生反應，在基片沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應。該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。是高校、科研院所、工礦企業做等離子體增強CVD實驗用的理想產品。

產品特點

 1.通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態

2.PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。

3.可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積的薄膜的應力大小。

4.PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高。