碳化硅襯底退火爐
高溫退火爐系統主要用于化合物半導體:SiC或GaN的2’’、4’’、6’’晶原片或其他尺寸工藝片的高溫退火、活化等工藝。碳化硅單晶生長一般是在高溫下進行的,晶體生長結束后,晶體內部存在較大的殘余應力。
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